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英飛凌IGBTM模塊FZ1500R33HE3

英飛凌IGBTM模塊FZ1500R33HE3

型    號： FZ1500R33HE3
報    價： 9999
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3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

詳細資料：

IHM-B module with fast Trench/Field stop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

VCES= 3300V ，IC nom= 1500A / ICRM= 3000A

產品特點: 高直流穩定；高短路能力；自我限制短路電流；低開關損耗；的魯棒性；T(vj op)= 150°C；用正溫度系數低V(cesat)；AlSiC底板增加熱循環能力；包與CTI > 400；孤立的基板

 

FZ200R12KF2FZ200R65KF1FZ400R65KF1FZ400R17KE3
FZ300R12KF2FZ400R12KF2FZ400R12KS4FZ400R12KE3
FZ500R12KL4CFZ600R12KE3FZ600R17KE3FZ800R12KE3
FZ600R12KS4FZ800R12KF4FZ800R16KF4FZ800R33KF1
FZ900R12KF5FZ900R16KF1FZ1000R12KF4FZ1000R12KF5
FZ1000R25KF1FZ1050R12KF4FZ1200R12KF4FZ1200R12KF5
FZ1200R12KL4CFZ1200R16KF4FZ1200R25KF1FZ1200R33KF1
FZ800R12KS4FZ800R33KF2FZ1200R25KF4FZ1200R33KF2
FZ1200R33KF1FZ1600R12KF4FZ1600R17KF6CFZ1800R12KF4
FZ1500R25KF1FZ1800R16KF4FZ2400R12KF4FZ2400R17KF6B
FZ3600R12KE3FZ3600R17KE3FZ600R65KF1FZ1200R12KE3
FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3FZ2400R12KL4CFZ1600R12KL4C

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