詳細資料：
北京京誠宏泰科技原裝正品銷售三菱HVIGBT模塊CM800E6C-66H
3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules
IC...................................................................800A
VCES ....................................................... 3300V
Insulated Type
1-element in a Pack (for brake)
AISiC Baseplate
CM800E2C-66H CM800E4C-66H
CM800E6C-66H CM400HG-66H
CM1200HG-66H CM400HB-90H
CM600HB-90H CM900HB-90H
CM600HG-130H
IGBT模塊以其驅動電路的小型化、系統的輕型和效率化，使用于電氣鐵路和大型產業機器等需要高耐壓、大電流的功率電子設備，正在取代已往使用的晶閘管、GTO。推出HV（High Voltage）IGBT模塊產品陣容。
特長
- 采用平面IGBT
- 采用軟恢復二極管
- AlSiC基板
- 高絕緣包裝（Viso 10.2kV,AC 1min）也是產品陣容
- 工作溫度范圍的擴大
主要用途
變換器裝置 / 換流器裝置 / DC斬波器裝置
