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三菱IGBT模塊CM600HG-90H

三菱IGBT模塊CM600HG-90H

型    號： CM600HG-90H
報    價： 9999
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

詳細資料：

MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600HG-90H

MITSUBISHI三菱高壓單管1單元IGBT模塊VCES=4500V;IC=900A

北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600HG-90H

CM200HG-130H  

CM400HG-66H      

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CM600HG-90H      

CM600HG-130H    

CM800HG-66H


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