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三菱IPM模塊PM75CSD060
三菱IPM模塊PM75CSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM75CSD060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM75RSD060
三菱IPM模塊PM75RSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM75RSD060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM75CBS060
三菱IPM模塊PM75CBS060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM75CBS060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50RLA060
三菱IPM模塊PM50RLA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50RLA060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50CLA060
三菱IPM模塊PM50CLA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50CLA060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50RSA060
三菱IPM模塊PM50RSA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50RSA060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50CTK060
三菱IPM模塊PM50CTK060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50CTK060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50RSK060
三菱IPM模塊PM50RSK060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50RSK060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50EHS060
三菱IPM模塊PM50EHS060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50EHS060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50RHB060
三菱IPM模塊PM50RHB060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50RHB060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50CSE060
三菱IPM模塊PM50CSE060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50CSE060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50RHA060
三菱IPM模塊PM50RHA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50RHA060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50CSD060
三菱IPM模塊PM50CSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50CSD060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50RSD060
三菱IPM模塊PM50RSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50RSD060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
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三菱IPM模塊PM50CTJ060-3
三菱IPM模塊PM50CTJ060-3，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM50CTJ060-3
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三菱IPM模塊PM30RSF060
三菱IPM模塊PM30RSF060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM30RSF060
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三菱IPM模塊PM30RMC060
三菱IPM模塊PM30RMC060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM30RMC060
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三菱IPM模塊PM30RHC060
三菱IPM模塊PM30RHC060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM30RHC060
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三菱IPM模塊PM30CNA060
三菱IPM模塊PM30CNA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM30CNA060
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三菱IPM模塊PM30CTJ060-3
三菱IPM模塊PM30CTJ060-3，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM30CTJ060-3
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